realmeGT2大師探索版跑分圖曝光 主攝有望支持OIS光學防抖

來源：快科技

realme GT2大師探索版現(xiàn)已確認將會搭載高通驍龍8+移動平臺，采用臺積電4nm制程工藝，其功耗與良品率與三星4nm相比要更勝一籌。

今日，數(shù)碼博主@WHYLAB曝出了realme GT2大師探索版的Geekbench 5跑分圖，單核成績達1296分，多核為 4211分，相較于驍龍8有接近10%左右的提升，當然考慮到工程機的緣故，還有進一步的優(yōu)化空間。

另外，根據(jù)跑分圖顯示，realme GT2大師探索版最高還將配備12GB內(nèi)存，預計內(nèi)存規(guī)格將會從前代的LPDDR4X 2133MHz升級到LPDDR5 3200MHz。

根據(jù)此前爆料的信息，realme GT2大師探索版將成為OPPO系首款支持100W快充的機型，同時輔以5000mAh雙電芯電池，后置5000萬像素三鏡頭設計，主攝有望支持OIS光學防抖。

另外，realme GT2大師探索版的外觀將有日本知名設計師深澤直人操刀設計，整機的顏值將有比較大的提升，realme副總裁曾贊嘆“這將是手機工業(yè)設計的天花板”。

標簽： 大師探索版 外觀設計 高通驍龍

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